半導体プロセス中のウエハ温度のモニタリングは非常に重要なプロセス・パラメータですが、今まで適切な測定方法が確立できていない為に、温度以外のパラメータでプロセス状況を推測してきました。
その理由として、一般の放射温度計では測定対象物の放射率をユーザーが適当に決めなければならないので、ウエハ放射率のロット内のばらつきによる温度誤差により、温度測定自体の信頼性が乏しいからです。
弊社取扱のリアルタイム放射率補正型半導体プロセス温度モニターは、今まで無し得なかった対象ウエハの放射率をリアルタイムに測定し補正を行う為、ウエハ膜の種類に依存せず正確な温度測定が実現可能になりました。
また、独自の赤外線高感度測定技術により、低温まで（検出器の感度限界近くまで）測定出来ます。 今まで問題になっていたチャンバー中の迷光に付きましても、さまざまなソリューションをご提供する事ができます。
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- ゲルマニウム(Ge)レンズ (透過波長帯1.8～23μm)
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- フッ化バリウム(BaF2)レンズ (透過波長帯：0.15～12μm)
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- 硫化亜鉛(ZnS)レンズ (透過波長帯：0.37～14μm)
- カルコゲナイドガラスレンズ (透過波長帯：0.75～14μm)
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半導体プロセス温度モニターNTM-DeLTA／NTM-ETA
特長
- In situ、非接触プロセス温度モニター
- リアルタイム放射率&温度測定(同じ測定ポイント)
- 高感度、広いダイナミック･レンジを達成
- 高サンプリング･レート(～3kHz)に対応
- 豊富なインターフェース
- ETA、DeLTAの併用により放射率を自動入力可能
用途
- RTPプロセス
- PVDプロセス
- CVDプロセス
- エッチング･プロセス
- MOCVDプロセス、その他
仕様
| NTM DeLTA | NTM ETA | |
|---|---|---|
| 測定項目 | ウエハ温度・ウエハ放射率 | ウエハ温度 |
| 測定温度範囲 | 70℃～2000℃ (アプリケーションによる) | |
| 温度精度 | ～500℃:±0.8℃ ～2000℃:±0.15%T |
|
| 温度再現性 | ±0.2℃(typical) | |
| 測定レート | ～400Hz(放射率測定あり) ～3kHz(放射率測定なし) |
～3kHz(アプリケーションによる) |
| インターフェース | RS232C、アナログ、Ethernet | |
| 備考 | RoHS対応製品 | |
上記仕様は予告無く変更することがあります。
