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半導体プロセス温度モニター

グラフ
黒体の分光放射輝度

半導体プロセス中のウエハ温度のモニタリングは非常に重要なプロセス・パラメータですが、今まで適切な測定方法が確立できていない為に、温度以外のパラメータでプロセス状況を推測してきました。
その理由として、一般の放射温度計では測定対象物の放射率をユーザーが適当に決めなければならないので、ウエハ放射率のロット内のばらつきによる温度誤差により、温度測定自体の信頼性が乏しいからです。

弊社取扱のリアルタイム放射率補正型半導体プロセス温度モニターは、今まで無し得なかった対象ウエハの放射率をリアルタイムに測定し補正を行う為、ウエハ膜の種類に依存せず正確な温度測定が実現可能になりました。

また、独自の赤外線高感度測定技術により、低温まで(検出器の感度限界近くまで)測定出来ます。 今まで問題になっていたチャンバー中の迷光に付きましても、さまざまなソリューションをご提供する事ができます。

リアルタイム放射率補正型半導体プロセス温度モニターNTM DeLTA

PVD、CVD、RTPプロセスの温度モニターに最適

半導体プロセス温度モニターNTM ETA

NTM DeLTAとの組合せにより放射率データの共有が可能


赤外線分光式半導体プロセス温度モニターNTM-1

マイナスからの測定が可能。システム評価として最適



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販売を終了した製品

  • リアルタイム放射率補正型半導体プロセス温度モニターNTM-500、NTM-450
  • 半導体プロセス温度モニターNTM-5
  • 半導体プロセス温度モニターNTM-3
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