半導体プロセス中のウエハ温度のモニタリングは非常に重要なプロセス・パラメータですが、今まで適切な測定方法が確立できていないために、温度以外のパラメータでプロセス状況を推測してきました。

ウエハ放射率にはロット内でばらつきがあるにも関わらず、一般の放射温度計では測定対象物の放射率をユーザーが適当に決めなければならないため、温度誤差が発生し、温度測定自体の信頼性が乏しいことがその理由でした。

弊社取扱のリアルタイム放射率補正型半導体プロセス温度モニターは、今まで無し得なかった対象ウエハの放射率をリアルタイムに測定し補正を行うため、ウエハ膜の種類に依存せず正確な温度測定が実現可能になりました。

また、独自の赤外線高感度測定技術により、低温まで(検出器の感度限界近くまで)測定出来ます。 今まで問題になっていたチャンバー中の迷光に付きましても、さまざまなソリューションをご提供する事ができます。

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