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リアルタイム放射率補正型プロセス温度モニター（NTM500）
NTM-500はCISystems社の長年の実績を活かし開発した放射率自動補正型の半導体プロセス温度モニターです。一般の放射温度計と異なり、ユーザーは測定ウエハの放射率の違いを一切考慮することなく温度測定することができる画期的なプロセス温度モニターです。
特長
  • 非接触測定
  • リアルタイム放射率自動補正
  • 高速測定レート
  • ヒータやプラズマからの迷光を排除
  • 全てのウエハに対応
  • コンパクト設計
  • アナログ/デジタル出力標準装置
仕様
測定温度範囲 ＰＶＤ・・・ 200℃ 〜 600℃
ＨＤＰ，ＣＶＤ・・・ 250℃ 〜 700℃
ＲＴＰ，ＲＴＣＶＤ・・・ 450℃ 〜1250℃
精度 ±5℃ 又は測定温度の1.5%のうち大きい方
再現性 ±1℃ 又は測定温度の0.25%のうち大きい方
測定周期 Up to 30Hz
測定可能ウエハ 全てのウエハ
温度測定制限 ヒータ温度に対してウエハ温度が８０％以上であること。
バルク抵抗値＞0.01Ωpのウエハでは、１層目のメタライゼーションのはじめでプラズマによるスパイクが観測される事があります。（高密度プラズマオプションは除く）

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半導体非接触温度モニター（ＮＴＭ−１）
NTM-1は半導体ウエハの物性的な特長である近赤外付近の吸収特性が温度依存することをとらえ温度を測定する装置です。　今まで測定が不可能だった零度以下の温度測定が実現できる画期的な温度モニターです。
特長
  • 非接触測定
  • 分光分析により温度を測定
  • 低温から測定可能
  • ヒータやプラズマからの迷光を全く受けない
応用
  • スパッタ装置
  • 高密度プラズマＣＶＤ装置等の開発用
  • プロセス研究用
  • メンテナンス用
仕様
測定温度範囲 0℃〜＋600℃ （Si）
0℃〜＋700℃ （GaAs,InP,CdTe）
精度 ±１％
再現性 ±５℃ typical ±２℃
測定周期 １Hz
測定可能ウエハ ドーピング半導体ウエハ、酸化膜無し
温度測定制限 バルク抵抗値＞０．１Ωpのウエハ
ウエハ表面、裏面がポリシリコン膜、酸化膜、窒化膜の場合は測定に問題あります。

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プロセス温度モニター（ＮＴＭ−３）
NTM-3はNTM-5をベースにした簡易型の非接触半導体プロセス温度モニターです。HDP-CVDプロセスやPVDプロセスのウエハ温度モニターとして最適です。CI Systems社独自の高感度技術により、従来のパイロメータでは実現できなかった、プロセス中のウエハ温度を低温から測定する事が可能です。
特長
  • 非接触測定
  • 低温から測定可能
  • 放射率補正（マニュアル入力）
  • 最大３チャンバー同時モニタリング
  • アナログ/デジタル出力標準装置
仕様
測定温度範囲 ＰＶＤ・・・200℃ 〜 600℃
ＨＤＰ−ＣＶＤ・・・250℃ 〜 700℃
精度 ±5℃ 又は測定温度の1.5%のうち大きい方
再現性 ±1.5℃ 又は測定温度の0.75%のうち大きい方
測定周期 １Hz

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放射率補正型プロセス温度モニター（NTM-5）
一般の放射温度計では測定する物の正しい放射率が判らなければ正しい温度測定はできません。本装置ではウエハの放射率を自動設定し温度を補正している為、放射率の違いによる測定誤差の問題を克服しました。また、CI Systems社の高感度測定技術により低温からの測定が可能になり､ライトガイドとして使用するクォーツロッドのヒータからの影響も予め測定し補正を行っている為、真のウエハ温度を測定することができます。
特長
  • 非接触測定
  • 放射率自動補正
  • 低温から測定可能
  • ヒータやプラズマからの迷光を排除
  • 最大５チャンバー同時モニタリング
  • SECS-T/Uプロトコル準拠
応用
  • マルチチャンバー式スパッタ装置
  • 高密度プラズマＣＶＤ装置等のプロセス温度管理やプロセス温度コントロール
    • 仕様
    測定温度範囲 標準・・・100℃〜600℃ （バルク抵抗値＞0.01Ωpのウエハ又は、表面にメタルのついたウエハ）
    全てのウエハ・・・200℃〜600℃
    HDP-CVDｵﾌﾟｼｮﾝ・・・250℃〜750℃
    精度 ±5℃ 又は測定温度の1.5%のうち大きい方
    再現性 ±1.5℃ 又は測定温度の0.75%のうち大きい方
    測定周期 １Hz
    測定可能ウエハ 全てのウエハ
    温度測定制限 ヒータ温度に対してウエハ温度が８０％以上であること。
    ウエハ表面、がポリシリコンの場合は放射率が変化するので問題が起こる可能性がります。
    バルク抵抗値＞0.01Ωpのウエハでは、１層目のメタライゼーションのはじめでプラズマによるスパイクが観測される事があります。（高密度プラズマオプションは除く）

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